トランジスタ

３．実験方法 （ⅰ）静特性の測定 ＜実験準備＞ １）ボード上の端子 に直流電源1を、端子 に直流電源2を極性指示通り接続する。 ... 以上の準

トランジスタ 電子 回路 実験 電気

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トランジスタ回路の基礎実験

１．実験の目的 接合型トランジスタの静特性をエミッタ接地、ベース接地についてそれぞれ実際に測定する。また、静特性

●MOSFETの静特性を測定し、それに基づいてソース接地増幅回路を製作する。 ２．実験に使用した試料及び機材 表１：OP-AMPとMOSFET No. ... OP-AMPの実験

レポート 理工学 オペアンプ MOSFET 電子回路 アナログ回路 コンパレータ回路

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材料及び素子

＜ 光電半導体の特性測定(１) ＞ １．目的 光電池(太陽電池)、ホトダイオード、ホトトランジスタ及び光導電セルの静特性を

光電半導体 電子 実験 ダイオード トランジスタ

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機器原子分析の原理と特徴

Spectrometry（ラザフォード後方散乱分析法）の略で、MeVオーダーのヘリウムイオンを固体表面に照射し、試料中の原子核との弾性散乱によって、後方に跳ね返ってきたヘリウムイオンのエネルギーと強度を測定 ... 測定...