アナログ回路の製作

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    資料紹介

    実験計画書
    OP-AMP及びMOSFETによるアナログ回路の製作
    実験項目:
    (1)OP-AMPの実験?(反転増幅回路、非反転増幅回路、反転加算回路)
    (2)OP-AMPの実験?(コンパレータ回路、ヒステリシスコンパレータ回路)
    (3)MOSFET(n-channel、p-channel)の静特性測定
    (4)ソース接地MOSFET増幅回路の設計、製作、特性測定
    (5)CMOSディジタルインバータ回路の特性測定
    4.実験方法
    4.1 OP-AMPの実験?
    1)反転増幅回路
    図1の回路を製作する。Voutの値を測定し、式(1)から求まる計算値と実測値を比較する。R1=32.9[Ω]、R2=99.1[Ω]とし、入力電圧はVin=153[mV]とした。また周波数を上げて、電圧が1/ となるカットオフ周波数f3dBを求め、式(2)よりGB積を求める。

    2)非反転増幅回路
    図2の回路の回路を製作する。Voutの値を測定し、式(3)から求まる計算値と実測値を比較する。R1=10.0[Ω]、R2=98.8[Ω]とし、入力電圧はVin=130[mV]とした。

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    アナログ回路の製作
    2004.11.26.
    実験計画書
    OP-AMP及びMOSFETによるアナログ回路の製作
    実験項目:
    (1)OP-AMPの実験Ⅰ(反転増幅回路、非反転増幅回路、反転加算回路)
    (2)OP-AMPの実験Ⅱ(コンパレータ回路、ヒステリシスコンパレータ回路)
    (3)MOSFET(n-channel、p-channel)の静特性測定
    (4)ソース接地MOSFET増幅回路の設計、製作、特性測定
    (5)CMOSディジタルインバータ回路の特性測定
    実験計画:(略)
    1.目的
    ●OP-AMPを用いて、反転/非反転増幅/反転加算回路、コンパレータ回路を製作する。
    ●MOSFETの静特性を測定し、それに基づいてソース接地増幅回路を製作する。
    2.実験に使用した試料及び機材
    表1:OP-AMPとMOSFET
    No. 品名 メーカー 型番 規格 1 OP-AMP National Semiconductor LF356N GB積 5MHz 2 n-channel MOSFET HITACHI 2SK215 Idmax 500 mA 3 p-channel MOSFET HITACHI 2S...

    コメント2件

    6125prince 購入
    まさに今調べていた内容がドンピシャです!内容も充実していると思います。
    2005/10/21 1:32 (19年1ヶ月前)

    echigoya 購入
    行われた実験のみので得られた結果に対する考察がまったくなされていない、内容の薄いレポートでした。
    2005/12/02 13:29 (19年前)

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