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半導体の静特性で検索した結果：6件

半導体ダイオードの静特性

実験目的 PN接合からなる各種半導体ダイオードの静特性を測定し、それらの特性の特徴を理解しどのような用途に使われているか考える。

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  • 2005/11/10
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ダイオード・トランジスタの静特性

ダイオード・トランジスタの静特性 目的 ｐｎ接合ダイオード、トランジスタ（バイポーラ、ＦＥＴ）の静特性を測定し、それらの動作を理解する。 ..

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  • 2006/03/30
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ユニポーラトランジスタの静特性

実験目的 電界効果トランジスタのゲート形を使い、その静特性の測定をする。またこの実験を通して電界効果トランジスタの動作原理及び理解を深め、接合トランジスタとの相違点と類似点を把握する。 ... 下記の図1の様にN...

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  • 2005/11/10
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8.2 固体物性の応用

が挙げられる．本実験では金属および半導体の電気抵抗の温度依存性，金属と半導体の異種物質を接合した材料の電流電圧特性を調べる．これらを量子力学の観点からバンド理論に基づき，電子のエ

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  • 2016/05/06
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材料及び素子

＜ 光電半導体の特性測定(１) ＞ １．目的 光電池(太陽電池)、ホトダイオード、ホトトランジスタ及び光導電セルの静特性を測定して、その

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  • 2025/09/07
  • 閲覧(2,630)

機器原子分析の原理と特徴

は、サイクロトロンなどの加速器で数MeVのエネルギーに加速して試料に照射し、その結果発生する元素固有のエネルギーを持つ特性Ｘ線を測定することによって元素を分析する手法である。 ... Induced X-ray Emission) 分析 原理 ...

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  • 2006/12/01
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半導体ダイオードの静特性

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  • 2005/11/10
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