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励起エネルギーで検索した結果:18件
基底状態のエネルギーとその次のエネルギー・レベルの差を励起エネルギーという。 本実験において、フランク-ヘルツ管に封入されたネオン・ガスの
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けい光は、つねに励起状態の最低振動エネルギーからの遷移が関係し、電子は基底状態のどの振動エネルギー準位にでも戻ることができる。 ... この高いエネルギー
①ケイ光放出過程:M(S₁)→M(S₀)+hν ②無輻射過程:M(S₁)→M(S₀)+⊿ ③項間交差:M(S₁)→M(T₁) ④分子M₁から分子M₂へのエネルギー移動:M₁(S₁)+M₂(S₀)→M₁( ... 励起...
結果 N2、C3 u-B3 g線(2P)では15~17eVのN2+、B2 u+-X2 g+線(1N)では90~100eVの電子エネルギーで励起の起きる確率が高く、両者の電子エネルギー
1 目的 光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子(光センサ)に、太陽電池、フォトダイオード、フォトトランジスタなどがある。 ... 2.2 フォトトランジスタ 半導体PN接合に光を照射すると電子‐正孔対が...
エネルギーを吸収すると、分子中の電子が基底状態からよりエネルギーの高い軌道に励起する。このために分子の性質が変わり、他の方法では不可能な反応が起こる。 ... 光化学反応とは、
赤外(IR)スペクトルについて 異なる領域の電磁スペクトルの吸収によって、分子は異なる領域で励起する。例えば、赤外放射は、分子振動に伴うエネルギーに対応する。 ... 最近の赤外装置は、エネルギ
そして、400[k]を超えると価電子帯から伝導体への電子励起が優勢となり始め、ついにはドナー密度.. ... 2.1×106[1/cm3]のホウ素がドープされたシリコンのエネルギーバンド図を次の各温度について、そ...
PN接合に光を照射すると価電子帯の電子が伝誘帯に励起され.. ... 実験原理 PN接合で接合部のエネルギー障壁を越えるとP領域からN領域への正孔の注入、及びN領域からP領域への注入が可能になる。その結果、P領域からN領域に向かう方向に電流が流れる。...
この錯体は基底状態ではD+-A‐構造の寄与はわずかであるが、光照射によって励起すると、D+-A‐.. ... EDA錯体では、D、A分子が単に接触した構造とDからAに電子が移動した構造との間に共鳴が起こり、その共鳴エネルギーがD、A間の結合力となる。...
この差を検出することで、分子に吸収されたエネルギー、言い換えれば対象分子の振動・回転の励起に必要なエネルギーが求まる。 分子の振動・回転の励起に
原子になんらかの形でエネルギーを与えると,安定な状態にあった原子はそのエネルギーを吸収して, 不安定ではあるが高いエネルギー状態になる.これを励起
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