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資料:324件

実験　触２点閾の測定
S評価。身体部位による触２点閾の違いの検討、痩躯邸方による違いの検討が的確にできている、先行研究の引用や実験についての課題も良く書けている、との評価を頂いています。
実験心理学心理極限法身体部位触２点閾文化発達測定科学ドイツ化学
1,320 販売中 2018/10/22
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東工大：物理学実験　「アナログ回路」
1 実験の目的オペアンプを用いた回路を作成し、その動作を確かめる。またオペアンプを用いた安定期及びボルテージフォロワ、減算器を作成することでオペアンプの実用的な使い方を学ぶ。 2 実験の原理今回の実験では、オペアンプを用いた。オペアンプの性質を次に示す。オペアンプは非反転入力と反転入力、そして一つの出力を備えた演算回路素子である。オペアンプは図 1 のような回路記号で表され、出力電圧 Eout は非反転入力 E+ と反転入力 E− により次の式で与えられる。図中では出力電圧がピン番号 1、反転入力がピン番号 2、非反転入力がピン番号 3 で与えられている。 Eout = (E+ E−) (1) ここでは増幅率である。理想的なオペアンプでは次のような条件が満たされているとする。 1. 入力インピーダンスが無限大 2. 出力インピーダンスが 0 3. 増幅率が無限大実在のオペアンプではこれらの条件は満たされていないが、満たされているものとしてその動作を論じることができる。1 が満たされているときの動作は具体的には次のとおりである。 E+ = E− のとき Eout =
実験回路オペアンプ増幅原理理想抵抗波形
7,150 販売中 2009/07/08
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東工大：物理学実験　「デジタル回路」
ディジタル回路を組み合わせ回路を作成することにより、回路の動作を確認する。また、ディジタル IC の動作条件について調べる。具体的には TTLと CMOS についてスレッショルドレベルとファンアウト数を求める。 2.1 組み合わせ回路まずはじめに、組み合わせ回路を作成する。NAND 回路の真理値表は表1のとおりである。このNAND 入力 A 入力 B 出力 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 表 1: NAND回路の真理値表回路を用いて OR 回路を作成する。OR 回路の真理値表は表 2 のとおりである。ブール代数を用いれば、 NAND 回路は A と B という入力に対し論理積の否定 ¯A ¯B を返し、OR 回路は A + B を返す。入力 A 入力 B 出力 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 表 2: OR回路の真理値表次に図 1 のような回路を作成した。図 1: NAND回路を組み合わせて作った OR 回路この回路は A と B という入力に対し A A B B = ¯A ¯B = ¯¯A + ¯¯B = A + B 入力 R 入力 S
実験回路ロック NAND 種類対応
7,150 販売中 2009/07/08
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東工大：物理学実験　「放射線3,4」
シンチレータを用いた放射線の測定の原理を学び、実際に NaI シンチレータを用いて線及び線のエネルギースペクトルの測定を行う。また、シンチレータと線源の間に遮蔽物を設置し、物質との相互作用により放射線の数及びエネルギーがどのように変化するのを実験により観察する。 2.1 まず始めに、線の相互作用について簡単にまとめておく。線と物質の相互作用は、大きく分けて次の３種類である。 1. 光電効果 2. Compton効果 3. 電子対生成上から順に説明していく事にする。 (1) 光電効果エネルギー EP の線に対し、EP EB(EB は電子の束縛エネルギー)の電子がたたき出される。シンチレータ中においてはこのたたき出された電子のほとんどはエネルギーを失って止まる。 EB に相当するエネルギーは特性 X 線などとして放出されるが、エネルギーが低いのでこれらもほぼ吸収される。すなわち EP に比例したパルスが得られる。 (2)Compton 効果 Compton 散乱により電子が運動エネルギーとして受け取るエネルギーは、衝突前の線の進行方向を軸として散乱された光子の
実験電子エネルギー運動測定変化原理スペクトル波長増幅
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東工大：物理学実験　「放射線5,6」
半導体を用いた放射線の計測を行い、それを通じて検出器の性質を確かめる。またプリアンプや整形アンプを通した波形を観察する事によって、得られる結果に対して考察を与える。今回放射線の計測に用いたのは、半導体検出器と呼ばれる検出器である。半導体検出器より得られた信号は、プリアンプおよび整形アンプを経て PCでそのエネルギーごとにカウントされる。以下に、検出器および回路の概要を述べる。 2.1 半導体検出器は、電子をキャリアとする N 型半導体および P型半導体が用いられる。これらの半導体を薄い皮膜を挟み接合したものを PN 接合と呼ぶ。PN 接合の付近では、正孔と電子が結合し、キャリアが不足した状態が発生する。このような状態は PN 接合の付近で層状に見られ、空乏層とよばれる。このような PN 接合した半導体に電圧をかけると、電圧の向きにより電流が流れる場合と流れない場合がある：順方向バイアス P型半導体の側にプラスの電圧をかける場合、これを順方向バイアスをかけるという。この時、N 型半導体へは電子、P 型半導体へは正孔が注入されることになる。逆方向バイアス P型半導体
実験電子エネルギー半導体回路測定変化波形グラフ時間
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