連関資料 :: 半導体
資料:15件
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熱拡散による半導体pn接合の作製
- 1 目的 本実験では，拡散によってSiウエハ表面へ不純物原子を導入することにより，pn接合を形成する．また，作製したウエハの抵抗や伝導型を調べる． 2 実験装置 本実験で使用した装置などを次に示す． 管状電気炉， ガス，Siウエハ(n型)，ボロンプラス，酸類，有機洗剤，比抵抗測定器，ディジタルマルチメータ，ファンクションジェネレータ，はんだごて 3 実験方法 3.1 拡散 3.1.1 試料の洗浄 Siウエハは鏡面研磨されたn型基板(111)面を用いた．まず，ウエハをトリクロロエチレンに浸し，超音波洗浄器を用いて7分間洗浄した．その後，同様にアセトン，エタノールの順に浸して共に5分間洗浄した． 3.1.2 N２ガスの導入 まず，Siウエハとボロンプラスを入れる反応管内に ガスを流量777[cc/min]で約10分間流し，反応管内の空気を窒素に置き換えた． 3.1.3 Bの拡散 次に，ボロンプラスとSiウエハの裏側(鏡面側)が互いに向き合うように，これら2組をそれぞれボートの溝に差し込んで置いた．このボートを炉の出口付近の低温部に2〜3分間程置いてから，徐々に反応管中に挿入して炉の中心位置付近に置いた．このとき，2枚のボロンプラスのうちの1枚が大きすぎ，反応管中心付近まで進まなかったため，そのボロンプラスを取り除いた．この間， ガスは流したままであった． その後，拡散温度が1000℃に上がってから1時間，Bを拡散させた．なお，拡散温度が1000℃に上がるのと再度下がるのに各40分程かかる． 終了後，ボートをゆっくり低温部に引き出し，電流を絞ってから炉のスイッチを切った．約5分後に反応管から取り出し，完全に冷えるまで待った． 3.2 測定 以降の操作では，上記とは異なる条件の下で作製されたウエハを用いた．実際に上記の手順で拡散した拡散用ウエハと，以降の各測定で用いた測定用ウエハの，pn接合形成における設定条件を表4.1にまとめる．
- レポート 理工学 pn接合 四探針法 熱拡散
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グラフィクス表示と半導体内部状態描写への適用
- 第１章 序論 MOSトランジスタは、集積回路産業の中で重要な役割を果たしている。 MOSトランジスタの歴史は古く、バイポーラトランジスタより前に発明されている。実際、電界効果トランジスタの基本原理はJ.E.Lilienfeldによって1930年に考案され、現在のMOSトランジスタの構造はO.Heilによって1935年に考案されている。しかしながら材料の問題により実用化できなかった。この間、バイポーラトランジスタが発明され、ＭＯＳ構造は長い間注目されなかった。 材料の問題が解決し、ＭＯＳトランジスタが実用化に至ったのは1960年代に入ってからのことである。初期は、nチャネルもしくはpチャネル一種類のトランジスタで構成された回路が主流であった。その後、ｎチャネルとｐチャネルのMOSトランジスタを同時に搭載するCMOS（Complementary MOS）構成の回路が使われ始めた。CMOS回路は低消費電力化に有効である。CMOS回路は、製造工程が複雑であるためあまり利用されなかったが、製造技術の進歩により問題が解決され、現在では主としてCMOS回路が使われている。 最近ではLSIの集積度が年々向上しているため、LSI設計技術者は大規模回路の消費電力をいかに下げるかという問題に直面するようになってきた。近年のLSIシステム設計においてCOMS回路技術が重要となってきている。 MOSトランジスタの電気的動作を研究するためにMOSトランジスタのシミュレーションが広く行なわれているが、その結果を詳細に解析するためには、シミュレーション結果の可視化が必要である。 本研究では、シミュレーション結果をグラフィック表示するシステムを構築し、ＭＯＳトランジスタの実際のシミュレーション結果を表示し、ＭＯＳトランジスタの動作解析を行なった。
- 論文 理工学 MOSトランジスタ 等高線 AVS
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酸化物半導体型光触媒による有機色素の分解
- 実験レポート 酸化物半導体型光触媒による有機色素の分解 1.目的 光触媒は光照射下で反応を促進させる物質である。今回の実験では代表的な光触媒であるTiO2用いてメチレンブルーを分解し、吸光光度測定により光触媒活性を評価し、光触媒についての知見を得る。 2.理論 2.1光触媒反応の原理 二酸化チタンのバンド構造は、チタンの3d軌道からなる伝導帯と、酸素の2p軌道からなる価電子帯により形成されている。伝導帯の下端と価電子帯の上端のエネルギー差をバンドギャップといい、そのバンドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射すると、価電子帯から伝導帯に電子が励起され、伝導帯には電子が、価電子帯には正孔がそれぞれ生じ、光触媒反応が起こる。 2.2 Lanbert-Beerの法則 色素の濃度がcである溶液の厚さlを通過する間に、光の強度が入射光I0から透過光Iまで減衰したとき、次の関係が成り立つ。 （1） ここで、Aは吸光度といい、A = log (I0 / I)で定義される。εはモル吸光係数という物質定数である。 （1）式は色素以外の溶質による吸収や溶媒による吸収、セルによる吸収などを考慮してい
- 酸化物半導体型光触媒 光触媒 吸光光度測定 二酸化チタン バンド構造 Lanbert-Beerの法則 酸化チタンの製造法 実験 理工学 Beer-Lambert law
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