パワー半導体デバイスの電圧・電流特性

- 1 - 各素子の記号と電圧電流特性を調べよ。 ... 側に正 側に負の電圧(逆方向電圧)を加えると ごく小

レポート 理工学 ダイオード MOSFET サイリスタ IGBT

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電界効果トランジスタの静特性と増幅器

FETの静特性 ゲート電圧 とドレイン電流 の関係を表す - 特性は伝達特性とも呼ばれ，FETの入力

レポート 理工学 FET 増幅器 トランジスタ

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• 2006/02/01
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• hamigakiko

ダイオード・トランジスタの静特性

図１ pnp接合ダイオード（順方向接続） 図２ pn接合ダイオードの電流電圧特性 トランジスタとは半導体を利用した３端子素.. ... その電流

ベース接地電流増幅率とエミッタ接地電流増幅率の関係を求める。 最後に、エミッタ接地増幅回路について適切なバイアス点を計算により求め、実験を行い適切なバイアス設計ができるようにする。 ... ２．実験回路解析と実験...

レポート 理工学 エミッタ接地 ベース接地 バイアス

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変成器

・ ・ 図１ 変成器 図１のように入力電圧 、出力電圧 、相互インダクタンス 、１次側の自己インダクタンス 、その電流を 、２次側の自己イ

レポート 理工学 変成器 相互インダクタンス 結合係数

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半導体レーザーの実験

電流電圧特性を調べると、どちらも順方向電圧を加えることによって、ある電圧値を越えると急激に電流

レポート 理工学 電気 電子 実験

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半導体ダイオードの静特性

このとき、順方向電流は印加電圧が拡散電位を越えると急激に増加し、電流は電圧に依存せず負の一定値になる。この電流

レポート 理工学 電気 回路 電子 トランジス

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負帰還増幅回路

負帰還の原理 出力信号を入力側に帰還するとき，電圧で帰還する方法と，電流で帰還する方法があるが，いずれの方法も負帰還は増幅器の特性を改善するために用いられる．図2.1は

レポート 理工学 負帰還 電流帰還 電圧帰還

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• hamigakiko

ＬＣＲ

2 理論 Ｌ、Ｒ、Ｃを直列につないでる場合、電流をI(t)、入力電圧をf(t)として、各素子にかかる電圧を考え、次式が成り立つ。 ... 本実験では、入力電圧<

LCR RLC 過渡特性

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線状アンテナの諸特性

波長 に比べて十分小さいループコイルをアンテナの近傍に置き、その誘導電圧を とすれば、 はアンテナの電流 に比例する。 ... 2.原理 2.1 線状アンテナの電流分布 アンテナ

レポート 理工学 八木アンテナ 電波 特性

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• frechan