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半導体の静特性実験で検索した結果：4件

ユニポーラトランジスタの静特性

実験目的 電界効果トランジスタのゲート形を使い、その静特性の測定をする。またこの実験を通して電界効果トランジスタの動作原理及び理解を深め、

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  • 2005/11/10
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半導体ダイオードの静特性

1.実験目的 PN接合からなる各種半導体ダイオードの静特性を測定し、それらの特性の特徴を理解しどのような用

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  • 2005/11/10
  • 閲覧(10,302)
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8.2 固体物性の応用

が挙げられる．本実験では金属および半導体の電気抵抗の温度依存性，金属と半導体の異種物質を接合した材料の電流電圧特性を調べる．これらを量子力学の観

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  • 2016/05/06
  • 閲覧(2,024)

材料及び素子

＜ 光電半導体の特性測定(１) ＞ １．目的 光電池(太陽電池)、ホトダイオード、ホトトランジスタ及び光導電セルの静特性を測定して、その

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  • 2025/09/07
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