光センサの特性

図2.1に、その代表的な素子であ る。Cdsセルの構造を示す。 2.2 フォトトランジスタ 半導体PN接合に光を照射すると電子‐正孔対が励起される。 ... 2 理論 2.1 光導電セル 光の入射によって<...

センサ 光センサ

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• 2007/11/14
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• oshino

8.2 固体物性の応用

が挙げられる．本実験では金属および半導体の電気抵抗の温度依存性，金属と半導体の異種物質を接合した材料の電流電圧特性を調べる．これらを量子力学の観

大阪大学 工学部 マテリアル 実験

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• happymal

半導体デバイスの基礎特性

目的 半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結

ダイオード 半導体 レポート 実験

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• 2009/05/21
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• tkat

レーザー発振しきい値を下げる方法

②電気化学発光.. ... - 1 - レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。 ①最初の半導体レーザはホモ接合の レーザだが、レーザ発振に必要な最低電GaAs 流密度であるしきい値がきわめて高かった。 ... しきい値電流密度を飛躍的 AlGaAs に低減させた。...

レポート 理工学 レーザー 発振 しきい値 下げる

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• 2005/10/31
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• yummy159

半導体の電気的性質

，GM08-10，29286100 電磁石，MAGNETIC CORPORATION，OHG-30K，769 半導体の電気的特性測定装置，MAR

レポート 理工学 ホール係数 ホール電圧 キャリア密度

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• hamigakiko

電子状態と材料特性

そしてさまざまな固体固有の性質、すなわち機械的、光学的、磁気的、電気的特性な

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• chemist-man's

エレクトロニクス科学史

製造工程の少しの変化が大きな特性変化として現れるため、デジタル回路化し、特性のばらつきの影響を小さくする。 例をあげるとサイリスタ、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴなどがある。 ... 温度による特性

技術の発展

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• 2007/12/07
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• gla0323