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新エネルギー材料特論３ダイオード
n 形半導体内の電子の運動を考えると，電界 E で加速された速度 v の運動電子図 1-(b)は，磁束 密度 Bの磁界によって，vBに比例したローレンツ力を横方向に受けて円運動しようとする．しか し，半導体内部 ...
550 販売中- 2012/02/13
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ホイールストーンブリッジ
実験の目的 ｗｈｅａｔｓｔｏｎｅ橋を使用して、金属と半導体の電気抵抗の温度依存を調べる。 ... 半導体では、安定なあるエネルギー準位にある電子が活性化エネルギーを受けることで自由電子の数は温度とともに増大する...
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- 2006/05/06
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