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トランジスタの静特性で検索した結果:6件
ダイオード・トランジスタの静特性 目的 pn接合ダイオード、トランジスタ(バイポーラ、FET)の静
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実験目的 電界効果トランジスタのゲート形を使い、その静特性の測定をする。またこの実験を通して電界効果トランジスタの動作原理及び理解を深め、接合トランジスタとの相違点と類似点を把握する。
1.実験の目的 接合型トランジスタの静特性をエミッタ接地、ベース接地についてそれぞれ実際に測定する。また、静特性
実験セット ― ― ― 実験(ⅰ) エミッタ接地出力特性の測定 NPN型の接合トランジスタを含む回路を図1の様に組み、Ibをパラメータとしすべり抵抗Rb1を操作しVceとIcを測定する。 ... 実験原理 図...
目的 この実験では,接合形FETの静特性を測定し,その特性を表すYパラメータを求める.また,FETを用いた増幅器の動作を調べ,動作量を計算する. ... FETの
(ⅲ)トランジスタ増幅器の設計 設計の仕様のうち、電圧利得、最大出力電圧、負荷抵抗については指示に従う。 各自の測定した静特性、hパラメータを活用し、設計を行う。 ... 1.目
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