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半導体で検索した結果：114件

半導体

目的 実験を通して半導体には負の電荷を持つ担体(電子)と、正の電荷を持つ担体(正孔)が存在することをホール効果の実験によって確かめる。 ... 実験方法 測定試料用半導体として試料１(Si)、３(Si)、５(...

  • 550 販売中
  • 2007/01/21
  • 閲覧(1,493)

半導体レーザーの実験

次に半導体レーザーについて光を回折させる実験を行った。 ... 今回の実験は半導体の発光素子の特性、性質を調べる実験を行った。 ... 電気工学実験 テーマ 半導体レーザー 実験

  • 550 販売中
  • 2006/11/09
  • 閲覧(4,528)
  • コメント(2)

東工大：物理学実験　「放射線5,6」

2.1 半導体検出器は、電子をキャリアとする N 型半導体および P型半導体が用いられる。これらの半導体 を薄い皮膜を挟み接合したものを PN

  • 7,150 販売中
  • 2009/07/08
  • 閲覧(2,052)

半導体微細化の危機

半導体微細化の危機 半導体の微細化について、主に半導体微細化の限界について調査した。 ... 、ムーアの 法則とよばれる半導体集積技術の経験則に

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  • 2008/09/16
  • 閲覧(2,108)

SoC設計技術A

Moore）が1965年に提唱した、半導体技術の進歩に関する経験則。『半導体チップの集積度は、およそ18カ月で2倍になる』というもの。 ... このように半導体チップの集積度は３

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  • 2006/11/03
  • 閲覧(1,228)

ディジタルICの分類

ディジタルICは、半導体基盤内部に形成された能動素子がnpnやpnpなどのバイポーラ形素子から作られているバイポーラICとMOSなどのユニポーラ形素子から作られているユニポーラICとに大別される。 ... さらにこれらは、その半導...

  • 全体公開
  • 2009/09/05
  • 閲覧(3,776)

半導体デバイスの基礎特性

目的 半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結果の解析から，半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し，半導体デバイス...

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  • 2009/05/21
  • 閲覧(3,489)

医療用に使われるX線センサについて

半導体センサの原理 半導体センサは半導体に電極を付けたセンサ本体と、これに電場を発生させるためのバイパス電圧、並びにX線光子から変換された電気信号を増幅及び整形して出力する読

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  • 2006/03/16
  • 閲覧(2,316)

新エネルギー材料特論３ダイオード

n 形半導体内の電子の運動を考えると，電界 E で加速された速度 v の運動電子図 1-(b)は，磁束 密度 Bの磁界によって，vBに比例したローレンツ力を横方向に受けて円運動しようとする．しか し，半導体内部 ...

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  • 2012/02/13
  • 閲覧(1,296)

ホイールストーンブリッジ

実験の目的 ｗｈｅａｔｓｔｏｎｅ橋を使用して、金属と半導体の電気抵抗の温度依存を調べる。 ... 半導体では、安定なあるエネルギー準位にある電子が活性化エネルギーを受けることで自由電子の数は温度とともに増大する...

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  • 2006/05/06
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情報概論２半導体＆演算処理

トランジスタはダイオードをサンドイッチ状に挟み込んだ形になっている半導体である。その後のＩＣやＬＳＩも基本的には同様の構造となっている。 ... トランジスタの基本となるダイオードはＰ型とＮ型の二つの物質を張り合わせており、Ｎ型からＰ型に電子が移...

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  • 2011/02/01
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俺半導体

２．実験方法（１）分光透過率の測定 直接遷移型半導体GaAsと間接遷移型半導体GaPの分光透過率を分光光度計で測定する。 ... １．目的 まず、半導体の中で光がいかに吸収され

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  • 2011/07/11
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プレミアム会員資料

半導体微細化の危機

  • 550 販売中
  • 2008/09/16
  • by tkat

熱拡散による半導体pn接合の作製

２.2 金属と半導体の水溶液電気化学

情報概論２半導体＆演算処理

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