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トランジスタで検索した結果:17件
バイポーラトランジスタ バイポーラジャンクショントランジスタ英: Bipolar junction ..
トランジスタ トランジスタ英: transistorとは、電子回路において、信号を増幅またはスイッチ..
1.目的 トランジスタの動作および特性、簡単な増幅回路の設計と製作、関連するパラメータや特性の測定法について学習する。これまでに学んだことを基に’’自分の’’回路を作り、部品、設計、組み立て、測定について広範囲におよぶ知識やトラブルなどを自力で解決する能力をつけることを目的とする...
バイアス (電子工学) 電子工学におけるバイアス英: biasingとは、電子部品を適切な条件で動作..
1.目的 この実験では,接合形FETの静特性を測定し,その特性を表すYパラメータを求める.また,FETを用いた増幅器の動作を調べ,動作量を計算する. 2.原理 2.1FETの動作原理 接合形FETは,pn接合に逆バイアスを加えるとキャリアのない空乏層ができることを利用...
第1章 序論 MOSトランジスタは、集積回路産業の中で重要な役割を果たしている。 MOSトランジスタの歴史は古く、バイポーラトランジスタより前に発明されている。実際、電界効果トランジスタの基本原理はJ.E.Lilienfeldによって1930年に考案され、現在のMOSト...
ソニーは、創設当時から現在まで新しい技術の開発とその技術による新商品の開発により業界大手にのし上がってきた。 ソニーは最初、東京通信研究所として始まった。創設者である故・井深氏はラジオの修理と改造を思い付き、短波放送を聞けるコンバーターを開発し、これが旧型のラジオに簡単に取...
1. 実験目的 電界効果トランジスタのゲート形を使い、その静特性の測定をする。またこの実験を通して電界効果トランジスタの動作原理及び理解を深め、接合トランジスタとの相違点と類似点を把握する。 2. 実験原理 接合型FETには、ソース[S]、ドレイン[D]、ゲート[G...
< 光電半導体の特性測定(1) > 1.目的 光電池(太陽電池)、ホトダイオード、ホトトランジスタ及び光導電セルの静特性を測定して、その動作原理を理解すると共にその取り扱いを習熟する。 2.実験方法 (ⅰ) 照度設定のための実験 暗箱の光源の真向かいに照度計のセンサ部を...
目的 pn接合ダイオード、トランジスタ(バイポーラ、FET)の静特性を測定し、それらの動作を理解する。 原理 p形半導体とn形半導体を接合したpn接合ダイオード(図1)はp側に正の電圧を印加した時に大きな電流が流れ(順方向)、逆極性(逆方向)では殆ど電流は流れない(図2)。そ...
1.目的 ライントレーサーを製作し、基盤の作成や半田付け、PICの書き込みなどの技術を身に付ける。 2.原理 プログラムで、動作が変更できるようにPIC16F84という1チップマイコンを利用する。電子回路の回路図を図1に示す。 図1 回路図 モータを回すトランジスタ2個接続...
1.シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギ...