レーザー発振しきい値を下げる方法

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    レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。
    ?最初の半導体レーザはホモ接合のレーザだが、レーザGaAs 発振に必要な最低電流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、AlGaAs とGaAs のヘテロ構造の導入など色々な試みがなされたが、室温での連続動作には至らなかった。しかし、1970 年に開発された半導体レーザでは、光を放出する薄膜にしたGaAs 活性層をAlGaAs 結晶層ではさむ二重へテロ構造により、発振しきい値電流密度を飛躍的に低減させた。
    ?電気化学発光(色素溶液を電気分解することによって発光)利用した発光素子で、レーザー発振現象が発生することが分かったが、その発光強度は低く、発振しきい値には届かなかった。そこで、平面白金電極を数μmの間隔で2 枚向かい合わせにし、その中の色素溶液の電気分解を行うことで、効率よく色素分子を反応させることができた。また、一度反応を終えた分子も、再び電極に戻って発光反応を繰り返すため、強い発光強度を得られる。電極はミラーとしても機能するために、微少な共振器としての特性も利用でき、レーザー発振のしきい値が下がった。
    その他、発光スペクトルの変調やスペクトルの先鋭化も観測できる。

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    レーザーの発振しきい値を下げるための具体的な対策について述べよ。
    ①最初の半導体レーザはホモ接合の レーザだが、レーザ発振に必要な最低電GaAs
    流密度であるしきい値がきわめて高かった。その後、光を導波路中に閉じ込める
    様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、 と のヘテロ構造のAlGaAs GaAs
    、 。 、 導入など色々な試みがなされたが 室温での連続動作には至らなかった しかし
    年に開発された半導体レーザでは、光を放出する薄膜にした 活性層を 1970 GaAs
    結晶層ではさむ二重へテロ構造により、発振しきい値電流密度を飛躍的 AlGaAs
    に低減させた。
    ②電気化学発光..

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