tkatさんの資料 / タグ / 半導体

資料:4件

  • ディジタルICの分類
  • ディジタルICの分類 ディジタルICの種類と特徴についてまとめた (3),(4)。 ディジタルICは、半導体基盤内部に形成された能動素子がnpnやpnpなどのバイポーラ形素子から作られているバイポーラICとMOSなどのユニポーラ形素子から作られているユニポーラICとに大別される。また、バ...
  • 全体公開 2009/09/05
  • 閲覧(3,687)
  • 半導体デバイスの基礎特性
  • 目的 半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して,電気的・光電的基礎特性を測定し,測定結果の解析から,半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し,半導体デバイスの動作原理の理解を深める. 理論 pn接合 順方向電流-電圧(I...
  • 550 販売中 2009/05/21
  • 閲覧(3,439)
  • 半導体微細化の危機
  • 半導体微細化の危機 半導体の微細化について、主に半導体微細化の限界について調査した。 [1]http://aawbite.com/ITEC205/1240_Moores.htm 「半導体の集積密度は 18 ~ 24 ヶ月で倍増する」 過去にも何度か技術的課題に突き当たりながらも、ムーアの 法則とよばれる半導体集積...
  • 550 販売中 2008/09/16
  • 閲覧(2,065)
  • 半導体工学
  • 1.シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギーギャップは1.11[eV]程度である...
  • 550 販売中 2007/07/20
  • 閲覧(2,790)

新しくなった
ハッピーキャンパスの特徴
写真のアップロード
一括アップロード
管理ツールで資料管理
資料の情報を統計で確認
資料を更新する
更新前の資料とは?
履歴を確認とは?