https://www.happycampus.co.jp/docs/983428572401@hc07/tags/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93/ tkatさんのタグ“半導体”の資料 ja-JP happycampus rss generator https://www.happycampus.co.jp cs@happycampus.co.jp cs@happycampus.co.jp Copyrightⓒ 2002-2026 AgentSoft Co., Ltd. All rights reserved Wed, 19 Dec 2007 02:47:38 +0900

ディジタルICの分類 　ディジタルICの種類と特徴についてまとめた (3),(4)。 　ディジタルICは、半導体基盤内部に形成された能動素子がnpnやpnpなどのバイポーラ形素子から作られているバイポーラICとMOSなどのユニポーラ形素子か]]> Wed, 20 May 2009 21:30:52 +0900

目的 　半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結果の解析から，半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し，半導体デバイスの動作原理の理解を深める． 理]]> Sat, 13 Sep 2008 00:15:36 +0900

半導体微細化の危機 半導体の微細化について、主に半導体微細化の限界について調査した。 [1]http://aawbite.com/ITEC205/1240_Moores.htm 　　　　　 「半導体の集積密度は 18 ～ 24 ヶ月で倍増す]]> Fri, 20 Jul 2007 22:37:01 +0900

１．シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T]]>