https://www.happycampus.co.jp/docs/983428572401@hc07/tags/%E3%83%AC%E3%83%9D%E3%83%BC%E3%83%88/ tkatさんのタグ“レポート”の資料 ja-JP happycampus rss generator https://www.happycampus.co.jp cs@happycampus.co.jp cs@happycampus.co.jp Copyrightⓒ 2002-2026 AgentSoft Co., Ltd. All rights reserved Wed, 20 May 2009 21:30:52 +0900

目的 　半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結果の解析から，半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し，半導体デバイスの動作原理の理解を深める． 理]]> Sat, 21 Jul 2007 22:22:26 +0900

オットーサイクル、ディーゼルサイクルでの効率ηの導出 １．オットーサイクル U Q W A→B nCv(TB－TA) Q1 0 B→C 0 C→D -nCv(TD－TC) -Q2 0 D→A 0 UAB = nCv(TB－TA) UCD ]]> Sat, 21 Jul 2007 22:27:08 +0900

Fourierの形式解は となることを示せ( ) フーリエの形式解は、 と書き表され、式を展開すると、 となる。 上式の第一項目を加法定理を用いて変形すると、 　(ここで、 とした。)　-----------① 　　 　　　　　 ----]]> Sat, 21 Jul 2007 22:19:10 +0900

1(a)Z軸の正の方向に電界をかけ、電界中におかれた水素原子の基底状態には1次の摂動エネルギー変化がないことを証明せよ。 　よって、1次の摂動エネルギー変化がない (b) 積分 を計算せよ (c)n=2の状態のみを考慮した場合の二次の摂動エ]]> Fri, 20 Jul 2007 22:37:01 +0900

１．シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T]]> Fri, 20 Jul 2007 22:31:14 +0900

微分演算子法 定義 まず最初に、 をDと書いて演算子という。 例えばn回微分可能な関数をy＝y(x)とする。ここでDyはyを1回微分するということであり はyを2回微分するということである。 と書いたらyを積分することである。 を逆演算子]]> Fri, 20 Jul 2007 22:24:53 +0900

制御工学課題 ～二次系のインパルス応答～ 二次系のインパルス応答 伝達関数 のとき のとき のとき、]]> Fri, 20 Jul 2007 22:19:59 +0900

電気材料 分極率α0の導出課題 エネルギーUはトルクτ×角度より求まるので、θ=90のときからθ=0にまで移動したとすると、 これを用いて配向分極率P0は個々の双極子のEi方向の成分（μcosθ）の和を求めればよい。 　 ここで、 となる]]>