半導体デバイスの基礎特性

-電圧(I-V)特性 pn接合に順方向バイアス電圧Vを印加するとn側のバンドがeVだけ持ち上がり，n側の電子がp側へ，p側の正孔がn側へそれぞれ注入される．注入された少数キャリアは拡散し，拡散電流Idiff...

ダイオード 半導体 レポート 実験

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• 2009/05/21
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