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GaAsで検索した結果：7件

GaAsの極低温領域における負の膨張係数

に増加するためである.しかしSiのような主要半導体では低温領域において膨張せずに,逆に収縮してしまう現象が知られている.今回我々は10〜293 の範囲においてSiの格子定数の負膨張について確認した後,GaAS...

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  • 2005/07/01
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レーザー発振しきい値を下げる方法

①最初の半導体レーザはホモ接合の レーザだが、レーザ発振に必要な最低電GaAs 流密度であるしきい値がきわめて高かった。 ... その後、光を導波路中に閉じ込める 様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、 と のヘテロ構造のAlGaAs ...

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  • 2005/10/31
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半導体

実験方法 測定試料用半導体として試料１(Si)、３(Si)、５(GaAs）、６(InGaAs）を用いた。まず、配線を行った後、以下の操作を備え付けのマニュアルを読んで行った。

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  • 2007/01/21
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マイクロ波

2、原理 2,1 マイクロ波の発生 ガン発振器の発振素子であるガンダイオードは1963年にアメリカIBM社のJ.B.Gunnによって開発された半導体素子で、GaAs（ガリウムヒ素）、InP（インジリウムリン...

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  • 2007/11/14
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俺半導体

２．実験方法（１）分光透過率の測定 直接遷移型半導体GaAsと間接遷移型半導体GaPの分光透過率を分光光度計で測定する。

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  • 2011/07/11
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新エネルギー材料特論５太陽電池

得られるという抽象的な半導体を考え，Bの値としては実在半導体の公約数的 なものとして 1.5 を代入したものである．これでピークを示す Eg が 1.5 eV となり，CdTe が最も ピークに近く，GaAs...

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  • 2012/02/13
  • 閲覧(2,042)

太陽光エネルギーを考える

IV属をIII属元素とV属元素で置き換えたIII-V族化合物(GaAs, InAs, GaP, GaN・・）も半導体の性質をもつ。 ... シリコン: 材料高コスト, 比較的高効率 多結晶シリコン: 材料低コスト, 中効率 薄膜アモルファスシリコ...

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  • 2008/06/16
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GaAsの極低温領域における負の膨張係数

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  • 2005/07/01
  • by tumuri
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