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電界効果トランジスタで検索した結果:5件
実験目的 電界効果トランジスタのゲート形を使い、その静特性の測定をする。またこの実験を通して電界効果トランジスタの動作原理及び理解を深め、接合トランジスタとの相違点と類似点を把握する。
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実際、電界効果トランジスタの基本原理はJ.E.Lilienfeldによって1930年に考案され、現在のMOSトランジスタの構造はO.Heilによ
1.目的 この実験では,接合形FETの静特性を測定し,その特性を表すYパラメータを求める.また,FETを用いた増幅器の動作を調べ,動作量を計算する. 2.原理 2.1FETの動作原理 接合形FETは,pn接合に逆バイアスを加えるとキャリアのない空乏層ができることを利用...
例えば金属イ オン濃度に応答する各種金属電極が用いられるほか、膜内外の濃淡を電位に変換する膜電極ガラ ス電極も膜電極の一種であると考え得る、電界効果トランジスタを用いて情報を電位差として取 り出す場合も...
これには、可逆現象としてのトンネル効果に基づくものと、電子なだれ効果に基づくものとがあるが、降伏時の動抵抗は極めて小さく殆ど一定電圧で電流が急増する。 ... ダイオード・トランジスタ
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