パワー半導体デバイスの電圧・電流特性

側に正 側に負の電圧(逆方向電圧)を加えると ごく小さい漏れ電流しか流れないp しかし、さらに逆方向電圧を高く

レポート 理工学 ダイオード MOSFET サイリスタ IGBT

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• yummy159

電界効果トランジスタの静特性と増幅器

原理 FETの動作原理 接合形FETは，pn接合に逆バイアスを加えるとキャリアのない空乏層ができることを利用して，ゲート電圧によりドレイン電流の大きさを制御する素子である．ゲートに加える逆

ソースに対してゲートが負になるような電圧 をかけると、pn接合に対して逆方向電圧となるので図1の様にn型半導体内部に空乏層ができる。 ... ドレインの方がソース側に比べて空乏層

レポート 理工学 電気 電子 実験 トランジスタ

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• tour12

光電効果について

・ 片対数グラフからわかること まず、図１のグラフからわかることは波長が長い光の方が逆電圧が大きいということである。 ... この実験では電流が１μＡの時の値でとっているが、 このグラフをもっと大き...

レポート 理工学 光子 逆電圧 光電流 アインシュタイン

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• roadgoese

東工大：物理学実験　「放射線5,6」

逆方向バイアス P型半導体 ... このような PN 接合した半導体に電圧をかけると、電圧の向きにより電流が流れる場合と流れない場 合がある： 順方向バイアス P型半導体の側にプラスの電圧をかける場合、これを順方向バイアスをかけるという...

実験 電子 エネルギー 半導体 回路 測定 変化 波形 グラフ 時間

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• Gomimushi

pn接合ダイオードの仕組みについて

なお、逆方向特性で逆耐電圧を超すと急に電流が増加し、ダイオードが破壊されるので、この電圧を超さないようにすることが必要となる 上記のような、p

レポート 理工学 ダイオード 電子工学 半導体

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• milkboy1918

波形整形回路

ピーククリッパー、ベースクリッパーについてはそれぞれ入力された波形の上部、下部を直流安定化電源の電圧によって切り取る大きさが変えられ、発振器の電圧Vmax =E1のときに全波形が出力され漸次電圧<

レポート 理工学 電気 電子 実験

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• shunok

オシロスコープを使った基本的な実験

の の波形を示せ 次にステップ電圧印加 とおき、逆ラプラス変換して ここで はステップ関.. ... また、オシロスコープのX-Yモードを用いて、リサージュ図形から入力波と出力波の電圧