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ボルツマン定数で検索した結果：3件

サーミスタ

ここでε：電荷担体の活性化エネルギー、ｋ：ボルツマン定数(=1.38×10^-23J・K＾-1)。 ... サーミスタの抵抗は ここで このＢはサーミスタ定数と呼ばれ、サーミスタの特性を表す重要な値の1つである。式（2）の対数をとると 温度Ｔ1のときの抵抗をＲ1、温度Ｔ2のときの抵抗をＲ2とす.....

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  • 2007/11/14
  • 閲覧(7,993)

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ダイオード・トランジスタの静特性

ただし、ｑは電荷素子、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。また、 は飽和電流と呼ばれる定数である。 逆方向の電圧を上げていくと、ある限界電圧を超えると急激に電流が増加する（降伏現象）。

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半導体デバイスの基礎特性

定数， T：絶対温度，W：空乏層幅，ni：真性キャリア濃度，τ：空乏層でのキャリア寿命である．印加バイアス電圧Vが，kBT/e（室温：約25meV）の数倍以上の領域では，順方向電流Iは，一般的に ... を介して生成・再結合電流Igrが流...

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  • 2009/05/21
  • 閲覧(3,890)

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