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半導体で検索した結果:114件
目的 実験を通して半導体には負の電荷を持つ担体(電子)と、正の電荷を持つ担体(正孔)が存在することをホール効果の実験によって確かめる。 ... 実験方法 測定試料用半導体として試料1(Si)、3(Si)、5(...
次に半導体レーザーについて光を回折させる実験を行った。 ... 今回の実験は半導体の発光素子の特性、性質を調べる実験を行った。 ... 電気工学実験 テーマ 半導体レーザー 実験
2.1 半導体検出器は、電子をキャリアとする N 型半導体および P型半導体が用いられる。これらの半導体 を薄い皮膜を挟み接合したものを PN
半導体微細化の危機 半導体の微細化について、主に半導体微細化の限界について調査した。 ... 、ムーアの 法則とよばれる半導体集積技術の経験則に
Moore)が1965年に提唱した、半導体技術の進歩に関する経験則。『半導体チップの集積度は、およそ18カ月で2倍になる』というもの。 ... このように半導体チップの集積度は3
ディジタルICは、半導体基盤内部に形成された能動素子がnpnやpnpなどのバイポーラ形素子から作られているバイポーラICとMOSなどのユニポーラ形素子から作られているユニポーラICとに大別される。 ... さらにこれらは、その半導...
目的 半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して,電気的・光電的基礎特性を測定し,測定結果の解析から,半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し,半導体デバイス...
半導体センサの原理 半導体センサは半導体に電極を付けたセンサ本体と、これに電場を発生させるためのバイパス電圧、並びにX線光子から変換された電気信号を増幅及び整形して出力する読
n 形半導体内の電子の運動を考えると,電界 E で加速された速度 v の運動電子図 1-(b)は,磁束 密度 Bの磁界によって,vBに比例したローレンツ力を横方向に受けて円運動しようとする.しか し,半導体内部 ...
実験の目的 wheatstone橋を使用して、金属と半導体の電気抵抗の温度依存を調べる。 ... 半導体では、安定なあるエネルギー準位にある電子が活性化エネルギーを受けることで自由電子の数は温度とともに増大する...
トランジスタはダイオードをサンドイッチ状に挟み込んだ形になっている半導体である。その後のICやLSIも基本的には同様の構造となっている。 ... トランジスタの基本となるダイオードはP型とN型の二つの物質を張り合わせており、N型からP型に電子が移...
2.実験方法(1)分光透過率の測定 直接遷移型半導体GaAsと間接遷移型半導体GaPの分光透過率を分光光度計で測定する。 ... 1.目的 まず、半導体の中で光がいかに吸収され