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		<title>タグ“電子工学”の公開資料</title>
		<link>https://www.happycampus.co.jp/public/tags/%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%B7%A5%E5%AD%A6/</link>
		<description>タグ“電子工学”の公開資料</description>
		<language>ja-JP</language>
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		<item>
			<title><![CDATA[整流回路]]></title>
			<link><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119617/]]></link>
			<author><![CDATA[ by おいちゃんさん]]></author>
			<category><![CDATA[おいちゃんさんの資料]]></category>
			<pubDate>Fri, 10 Apr 2015 02:09:53 +0900</pubDate>
			<guid><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119617/]]></guid>
			<description><![CDATA[<a href="https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119617/" target="_blank"><img src="/docs/944902124161@hc13/119617/thmb.jpg?s=s&r=1428599393&t=n" border="0"></a><br /><br />整流回路
1．目的
　本実験ではダイオードの整流作用を利用した交流から直流への変換方法である電源回路の構成を知る．特にダイオードを用いた整流回路と平滑回路の特性を理解する．
2．原理
　医療機器で用いられる電源の多くは，交流電圧100Vを必要な大きさの直流電圧に変換して使用している．交流から直流へ変換する流れをFig2-1に示す．
Fig.2-1　交流&rarr;直流の構成
3．使用機器
本実験で使用した機器をTable 1に示す．
Table 1　実験使用機器
機器
メーカー
型番
製造番号
オシロスコープ
TEX10
DCS-7510
15123001
発振器
GWINSTEK
GAG-810
EJ883813
デジタルマルチメータ
CUSTOM
CDM-17D
0560010098／00030080
ブレッドボード
shunhayato
SRH-32
3332945
抵抗(1k，10k，100k)
－
－
－
コンデンサ(0.010&micro;F，0.1&micro;F)
－
－
－
Si ダイオード&times;4
－
－
－
発光ダイオード&times;5
－
－
－
4．実験手順
4-0．LEDのI-V特性
(1)R＝1k&Omega;とし..]]></description>

		</item>
		<item>
			<title><![CDATA[コンデンサの過渡現象]]></title>
			<link><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119609/]]></link>
			<author><![CDATA[ by おいちゃんさん]]></author>
			<category><![CDATA[おいちゃんさんの資料]]></category>
			<pubDate>Fri, 10 Apr 2015 02:09:40 +0900</pubDate>
			<guid><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119609/]]></guid>
			<description><![CDATA[<a href="https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119609/" target="_blank"><img src="/docs/944902124161@hc13/119609/thmb.jpg?s=s&r=1428599380&t=n" border="0"></a><br /><br />コンデンサの過渡現象
1．目的
　ある状態から次の新しい定常状態に移行するまでの，電圧や電流が変化する過渡状態を示す現象を過渡現象という．本実験では充電，放電時の電圧変化を測定し，時定数と周波数の関係について考察する．
2．原理
2－1．過渡現象
　RC直列回路に直流定電圧源とスイッチを接続してスイッチをオンにすると，その直後の限られた時間に回路内の電圧や電流が変化し(過渡現象)やがて一定値に落ち着く(定常状態)これをステップ応答という．過渡現象はスイッチのオンオフだけでなく，入力波形の変化によっても生じる．
2－2．CR回路の過渡現象
図1　CR直列回路
2－2－1．充電
　図1の回路において時間t＝0でSWを閉じると，電流Iが流れコンデンサCが充電される．その時のR両端の電圧VRとC両端の電圧VCは以下のようになる．
VR＝E
VC＝E(1－)
2－2－2．放電
　図1の回路においてSWをオフにすると，電流Iがん枯れコンデンサCが放電される．その時のR両端の電圧VRとC両端の電圧VCは以下のようになる．
VR＝－E
VC＝E
3．使用機器
表1　使用機器
使用機器
メーカー
製品
..]]></description>

		</item>
		<item>
			<title><![CDATA[半導体ダイオードの特性]]></title>
			<link><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119619/]]></link>
			<author><![CDATA[ by おいちゃんさん]]></author>
			<category><![CDATA[おいちゃんさんの資料]]></category>
			<pubDate>Fri, 10 Apr 2015 02:10:02 +0900</pubDate>
			<guid><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119619/]]></guid>
			<description><![CDATA[<a href="https://www.happycampus.co.jp/docs/944902124161@hc13/119619/" target="_blank"><img src="/docs/944902124161@hc13/119619/thmb.jpg?s=s&r=1428599402&t=n" border="0"></a><br /><br />半導体ダイオードの特性
1．目的
　ｐｎ接合からなる各種半導体ダイオードの電圧－電流特性を測定し，それらの構造・特性を確認する．
2．原理
　pn接合で接合部のエネルギー障壁を越えるとp領域からn領域への正孔の注入，及びn領域からp領域への注入が可能になる．その結果，p領域からn領域に向かう方向に電流が流れる．p領域からn領域に注入された正孔はn領域の内部に進むにつれて減少する過剰な正孔分布が形成され，n領域からp領域に注入された電子はp領域の内部に進むにつれて減少する過剰な電子分布が形成される．このとき，順方向電流は印加電圧が拡散電位を越えると急激に増加し，電流は電圧に依存せず負の一定値になる．この電流を逆方向飽和電流と言う．特別に設計されたpn接合では逆方向の電圧がある特定の値以上で，電流が急激に増加する．この現象を降伏現象と呼び，その発生機構のツェナー降伏は比較的低い逆バイアス電圧で発生するのに対し，アバランシェ降伏は比較的高い電圧で発生する．ツェナー降伏を応用したツェナーダイオードは低電圧発生回路などに広く用いられている．
3．使用機器
　本実験で使用した機器を表1に示す．
表..]]></description>

		</item>
		<item>
			<title><![CDATA[直流安定化電源回路の製作]]></title>
			<link><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/983432058401@hc05/6380/]]></link>
			<author><![CDATA[ by mitecdef]]></author>
			<category><![CDATA[mitecdefの資料]]></category>
			<pubDate>Tue, 07 Feb 2006 14:05:37 +0900</pubDate>
			<guid><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/983432058401@hc05/6380/]]></guid>
			<description><![CDATA[<a href="https://www.happycampus.co.jp/docs/983432058401@hc05/6380/" target="_blank"><img src="/docs/983432058401@hc05/6380/thmb.jpg?s=s&r=1139288737&t=n" border="0"></a><br /><br />考察
１．	日本におけるバイポーラトランジスタは以下のように命名されている。
2SAxxx PNP型高周波用
      2SBxxx PNP型低周波用
      2SCxxx NPN型高周波用
      2SDxxx NPN[222]<br />実験概要
　今回の実験では基本となる電源回路を製作し、特性の測定を行う。
実験方法
始めに以下の図の回路を作製する。
安定化回路に負荷を接続し、特性を測定した。以下のようになった。
出力電流 I(A) 直流分 VDC(V) 交流分 VAC(mV) 電圧変動率 &delta;(%) リップル百分率 &gamma;(%) 0.0 10 15 0 0.42 0.1 10 18 0 0.51 0.2 10 16 0 0.45 0.3 10 14 0 0.40 0.4 10 15 0 0.42 0.5 10 20 0 0.57 0.6 10 25 0 0.71 0.7 10 28 0 0.79 0.8 10 33 0 0.93..]]></description>

		</item>
		<item>
			<title><![CDATA[pn接合ダイオードの仕組みについて]]></title>
			<link><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/983432131901@hc05/2210/]]></link>
			<author><![CDATA[ by milkboy1918]]></author>
			<category><![CDATA[milkboy1918の資料]]></category>
			<pubDate>Mon, 01 Aug 2005 22:35:21 +0900</pubDate>
			<guid><![CDATA[https://www.happycampus.co.jp/docs/983432131901@hc05/2210/]]></guid>
			<description><![CDATA[<a href="https://www.happycampus.co.jp/docs/983432131901@hc05/2210/" target="_blank"><img src="/docs/983432131901@hc05/2210/thmb.jpg?s=s&r=1122903321&t=n" border="0"></a><br /><br />p型半導体とn型半導体を単結晶内で接合し、p型からn型に性質が移り変わる遷移部分をpn接合という。pn接合面付近では、お互いのキャリアである電子と正孔が静電気力で引き合い、または反発しあって電位差を生じている。
電圧が加えられていない熱平[340]<br />電子工学レポート：pn接合ダイオードの仕組みについて
学生番号　06416714　　　氏名　木原悠太　　　　　提出日17.5.19
p型半導体とn型半導体を単結晶内で接合し、p型からn型に性質が移り変わる遷移部分をpn接合という。pn接合面付近では、お互いのキャリアである電子と正孔が静電気力で引き合い、または反発しあって電位差を生じている。
電圧が加えられていない熱平衡状態のpn接合では接合の部分を通過し電流が流れることがない。つまり、電位差を生じない。その一方で、ダイオードのｐ形のほうを正電位、ｎ形のほうを負電位になるように電池を接続すると、ｎ形のほうでは電池から電子が、ｐ形のほうでは正孔が入る。その結果、電位差を生じ電子が電位障壁を越えこのダイオードは電流が流れる。逆に、ｐ形のほうが負、ｎ形のほうが正になるように電池を接続すると、ｐ形の部分の正孔は負極に、ｎ形の部分の電子は正極のほうに移動し欠乏層が発生する。その結果、ダイオードの中では電流を運ぶものがなくなり電流が流れなくなる。この性質をダイオードの整流作用という。また、整流作用で電流が流れる方向は順方向といい、電流が流れない方向..]]></description>

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