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エレクトロニクス科学史 第４回　レポート課題 ２００６　８　０７ 課題１ 大電力半導体素子の開発により、ほとんどの応用分野で従来の真空や気体を使用した電子管を代替し凌駕した。 大電力半導体素子の特徴として、 ヒーターが不要なため消費電力が少[348]
エレクトロニクス科学史 第４回　レポート課題 ２００６　８　０７ 課題１ 大電力半導体素子の開発により、ほとんどの応用分野で従来の真空や気体を使用した電子管を代替し凌駕した。 大電力半導体素子の特徴として、 ヒーターが不要なため消費電力が少なく、電源投入と同時に動作する。 低温で動作するため寿命が長い。 固体であるため振動や加速度に強く信頼性が高い。 同じ動作をさせるのに必要な体積、面積が小さい。 また、次のような弱点を補う方法が開発され広く普及した。 温度による特性の変化が大きいので、補償回路が必要である。そのために補償回路を含んだ集積回路の製作。 製造工程の少しの変化が大きな特性変化として現れるため、デジタル回路化し、特性のばらつきの影響を小さくする。 例をあげるとサイリスタ、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴなどがある。サイリスタとは、ゲート (G) からカソード (K) へゲート電流を流すことにより、アノード (A) とカソード (K) 間を導通させることが出来る3端子の半導体素子である。 SCR(Silicon Controlled Rectifier) とも呼ばれ、PNPN の4..]]>