資料:1件

  • 熱拡散による半導体pn接合の作製
  • 1 目的  本実験では,拡散によってSiウエハ表面へ不純物原子を導入することにより,pn接合を形成する.また,作製したウエハの抵抗や伝導型を調べる. 2 実験装置  本実験で使用した装置などを次に示す. 管状電気炉, ガス,Siウエハ(n型),ボロンプラス,酸類,有機洗剤,比..
  • 550 販売中 2006/02/10
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