連関資料 :: 熱拡散による半導体pn接合の作製

資料:86件

  • 半導体デバイスの基礎特性
  •  半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して,電気的・光電的基礎特性を測定し,測定結果の解析から,半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し,半導体デバイスの動作原理の理解を深める. 理論 pn接合 順方向電流-電圧(I-V)特性  p
  • ダイオード 半導体 レポート 実験
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  • 半導体ダイオードの静特性
  • PN接合からなる各種半導体ダイオードの静特性を測定し、それらの特性...電力が発生し光照射によって光電流が生じる。発光ダイオードはPN...半導体でそのN型の部分にマイナス極、P型の部分にプラス極を繋ぐ。これは順方向にバイアスをかける事でN型の自由電子が空乏層へと移動する。またこ
  • レポート 理工学 電気 回路 電子 トランジス
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  • 半導体
  •  実験を通して半導体には負の電荷を持つ担体(電子)と、正の電荷を持つ担体(正孔)が存在することをホール効果の実験によって確かめる。さらに、キャリアの密度が同一材料で何桁も異なり得ること、材料によってキャリアの移動度が大きく異なることを確かめる。 実験方法  測定試料用半導体として
  • レポート 理工学 半導体 ホール効果 実験
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