半導体ダイオードの静特性

実験目的 PN接合からなる各種半導体ダイオードの静特性を測定し、それらの特性の特徴を理解しどのような用途に使われているか考える。

レポート 理工学 電気 回路 電子 トランジス

• 550 販売中
• 2005/11/10
• 閲覧(9,543)
• コメント(2)

• 
• tour12

半導体の電気的性質

目的 この実験では，半導体の抵抗率とホール係数を測定して，そのキャリア密度及び移動度を求める． ... ，GM08-10，29286100 電磁石，MAGNETIC CORPORATION，OHG-30K，769 半導体...

電子工学レポート：pn接合ダイオードの仕組みについて 学生番号 06416714 氏名 木原悠太 提出日17.5.19 p型半導体とn型半導体を単結晶内で接合し、p型からn型に性質が移り変わる...

レポート 理工学 ダイオード 電子工学 半導体

• 550 販売中
• 2005/08/01
• 閲覧(10,720)
• コメント(1)

• 
• milkboy1918

２.2 金属と半導体の水溶液電気化学

本実験では、PtとTiO2薄膜電極を用いて、金属電極と半導体電極との違い、ならびに半導体電極の光電気化学反応について学ぶことを目的とする。 ... 実験結果 ① 白金電極とTiO2半導体

歴史的には、コンピュータの演算処理は複数の半導体チップが連携して行っており、この半導体チップ群を「中央処理装置(CPU)」と呼んでいた。 ... マイクロプロセッサとは何か コンピュータ内で基本的な演算処理を行...

レポート 理工学 情報 プログラム コンピュータ

• 550 販売中
• 2006/01/07
• 閲覧(2,424)

• 
• mtyuki

半導体工学

１．シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギ...

レポート 理工学 半導体 フェルミ トランジスタ 演習 解答

• 550 販売中
• 2007/07/20
• 閲覧(2,855)

• 
• tkat

エレクトロニクス科学史

エレクトロニクス科学史 第４回 レポート課題 ２００６ ８ ０７ 課題１ 大電力半導体素子の開発により、ほとんどの応用分野で従来の真空や気体を使用した電子管を代替し凌駕した。 ... 大電力半導体素子の特徴として...

技術の発展

• 550 販売中
• 2007/12/07
• 閲覧(2,055)

• 
• gla0323

半導体ダイオードの特性

半導体ダイオードの特性 1．目的 ｐｎ接合からなる各種半導体ダイオードの電圧－電流特性を測定し，それらの構造・特性を確認する． 2．原理 pn接合で接合部のエネルギー障壁を越えるとp領域からn領域への...

電子工学 臨床工学 ダイオード

• 550 販売中
• 2015/04/10
• 閲覧(1,686)

• 
• おいちゃんさん

電子工学概論　 合格

代表的なものとしてシリコンがあり、半導体製品の多くがシリコンを主原料としています。 n型・p型 多くの場合、半導体として機能させるには純粋な真性半導体のままでは電気伝導性が低いた

北海道 情報 レポート 電気 電子 エネルギー 回路 半導体 原理 発振 工学 増幅 周波数

• 550 販売中
• 2013/07/26
• 閲覧(1,863)

• 
• カナブン丸

ダイオード・トランジスタの静特性

原理 ｐ形半導体とｎ形半導体を接合したｐｎ接合ダイオード（図１）はｐ側に正の電圧を印加した時に大きな電流が流れ（順方向）、逆極性（逆方向）では殆ど電流は流れない（図２）。 ... 図１ pnp接合ダイオード（順...

レポート 理工学 ダイオード トランジスタ 静特性

• 550 販売中
• 2006/03/30
• 閲覧(14,090)

• 
• limewire

レーザー発振しきい値を下げる方法

①最初の半導体レーザはホモ接合の レーザだが、レーザ発振に必要な最低電GaAs 流密度であるしきい値がきわめて高かった。 ... 、 導入など色々な試みがなされたが 室温での連続動作には至らなかった しかし 年に開発された半導体<...

レポート 理工学 レーザー 発振 しきい値 下げる

• 550 販売中
• 2005/10/31
• 閲覧(5,900)

• 
• yummy159

パワー半導体デバイスの電圧・電流特性

■ダイオード 形半導体と 形半導体の 層を接合したデバイスで、非可制御タイプのスイッチ、p n 2 すなわち主電極間に加わる電圧の極性のみによってその導通、非導通が決まるデバイ スである。

レポート 理工学 ダイオード MOSFET サイリスタ IGBT

• 550 販売中
• 2005/10/31
• 閲覧(3,734)

• 
• yummy159