半導体ダイオードの特性

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    半導体ダイオードの特性
    1.目的
     pn接合からなる各種半導体ダイオードの電圧-電流特性を測定し,それらの構造・特性を確認する.
    2.原理
     pn接合で接合部のエネルギー障壁を越えるとp領域からn領域への正孔の注入,及びn領域からp領域への注入が可能になる.その結果,p領域からn領域に向かう方向に電流が流れる.p領域からn領域に注入された正孔はn領域の内部に進むにつれて減少する過剰な正孔分布が形成され,n領域からp領域に注入された電子はp領域の内部に進むにつれて減少する過剰な電子分布が形成される.このとき,順方向電流は印加電圧が拡散電位を越えると急激に増加し,電流は電圧に依存せず負の一定値になる.この電流を逆方向飽和電流と言う.特別に設計されたpn接合では逆方向の電圧がある特定の値以上で,電流が急激に増加する.この現象を降伏現象と呼び,その発生機構のツェナー降伏は比較的低い逆バイアス電圧で発生するのに対し,アバランシェ降伏は比較的高い電圧で発生する.ツェナー降伏を応用したツェナーダイオードは低電圧発生回路などに広く用いられている.
    3.使用機器
     本実験で使用した機器を表1に示す.
    表..

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